Что такое тайминги в оперативной памяти, какие лучше

Если компьютер перестал включаться

Даже при грамотном выполнении разгона ОЗУ нельзя исключать ситуацию, при которой компьютер отказывается загружаться. Если возникла такая проблема, прежде всего надо проверить, идет ли загрузка в безопасном режиме.

Компьютер загружается в безопасном режиме — повышаем напряжение

Если в безопасном режиме операционная система все же загрузилась, можно попытаться сохранить новые параметры. Для этого следует повысить напряжение модулей ОЗУ. Делать это нужно поэтапно, один шаг не должен превышать 25 милливольт (что соответствует 0,025 V). Для систем Ryzen также можно попробовать поднять напряжение SOC. Для машин с процессорами Intel нужно выполнить аналогичные действия.

Компьютер не запускается — сброс настроек с помощью CMOS

Для неопытных пользователей ситуация выглядит тревожной, когда Windows не грузится и в безопасном режиме. Но на самом деле ничего ужасного при этом не происходит, просто в BIOS отсутствует функция автоматического сброса параметров. Более того, если бы компьютер смог запуститься с неприемлемыми настройками ОЗУ, комплектующие в таком случае с большой вероятностью вышли бы из строя.

Чтобы решить эту проблему, надо сбросить параметры BIOS к заводским настройкам. Для этого потребуется:

1. Снять крышку с корпуса компьютера.
2. Извлечь из гнезда на материнской плате батарейку CMOS (для этого ее можно аккуратно поддеть отверткой или пинцетом).
3. Через 10 минут установить батарейку на прежнее место. Все изменения, вследствие которых загрузка системы стала невозможной, будут сброшены.
4. Вернуть на место и зафиксировать снятую с корпуса панель.

На материнской плате может присутствовать перемычка «CLR CMOS» или «JBAT». Для обнуления параметров также можно воспользоваться и такой перемычкой. Ее нужно снять с одних контактов, надеть на другие, а затем снова установить в прежнее положение.

Существуют также модели плат, оснащенные кнопкой, предназначенной для сброса пользовательских параметров BIOS. Чтобы отменить изменения, достаточно произвести нажатие на нее. Эта кнопка может называться так:

• CLEAR;
• CLR;
• CLR_CMOS;
• PSSWRD.

Как правильно установить, настроить и разогнать оперативную память

Многие ошибочно считают, что установить оперативную память проще простого, настраивать ее якобы не нужно, а разгонять – вообще нет смысла. На самом же деле все намного сложнее и сейчас я в форме вопросов и ответов расскажу, как выжать максимум производительности из оперативной памяти.

Редакция благодарит компании Kingston и MSI , любезно предоставившие комплекты памяти и материнские платы для тестирования.

Можно ли совмещаться память разных моделей, брендов и частот?

В теории для ПК можно использовать несколько модулей оперативной памяти не только от разных производителей, но и с разной частотой. В таком случае вся память будет работать на частоте самого медленного модуля. Но на практике же могут возникнуть конфликты несовместимости: ПК может вообще не запускаться, либо же могут случаться периодические сбои ОС. Поэтому оперативку лучше сразу покупать набором из двух или четырех модулей, особенно если планируете заняться разгоном. В модулях из одного комплекта применяются чипы из одной партии, обладающие идентичным разгонным потенциал.

Насколько полезен многоканальный режим работы памяти?

Все современные процессорные платформы Intel и AMD для настольных ПК поддерживают, как минимум, двухканальный режим работы памяти. В свою очередь процессоры Intel Core i7 Gulftown и Intel Xeon Nehalem и Westmere поддерживают трехканальный режим, а AMD Opteron серии 6000, Intel Core i7 LGA 2011 и Xeon E5 и E7 – вообще четырехканальный (восемь слотов памяти).

Возможность установки разных планок оперативной памяти

В том случае, если появилась необходимость расширения имеющейся оперативной памяти, оптимальным вариантом, гарантирующим отсутствие каких-либо неполадок в работе системы, является установка полностью аналогичных (в сравнении с уже установленными) планок ОЗУ. Это касается как бренда и фирмы-производителя, так и характеристик плат – их объемов, тактовой частоты и показателей задержки.

Однако найти в продаже необходимый артикул получается далеко не всегда, вследствие чего нередко выбирать приходится из того, что имеется у продавца в наличии. Иными словами, устанавливать разную оперативную память можно, однако ее характеристики должны соответствовать показателям компьютера.

Чтобы подобрать оптимальный вариант, подходящий для конкретного ПК, следуют определить:

• поколение ОЗУ (DDR4, DDR3, DDR2 или иные устаревшие версии), поддерживаемое материнской платой (между собой разные поколения несовместимы);
• диапазон частот ОЗУ, поддерживаемый материнской платой (совместимость можно определить на сайте производителя материнской платы, выбрав имеющуюся модель в соответствующем разделе);
• наличие, а также количество свободных слотов для установки новых плат ОЗУ;
• модель и характеристики уже установленной ОЗУ (объем, частота и т.д.).

Что такое тайминги оперативной памяти?

Чтобы понимать, какие тайминги лучше, нужно хотя бы в общих чертах знать, что это вообще такое. Итак, если очень кратко, то тайминги – это временные задержки между отправкой и выполнением команды шины памяти т.е. тайминги определяют то, как быстро информация перемещается внутри планки памяти. Латентность ОЗУ измеряется в тактах и обычно записывается в виде нескольких цифровых значений через тире, но у каждого значения есть своя определенную маркировку и последовательность. Выглядит она так: CL-RCD-RP-RAS, где CL – это CAS Latency, время до получения ответа памяти, RCD – RAS to CAS Delay, время полного доступа памяти или как еще его называют поиск необходимой строки, RP – RAS Prechange, время в промежутке между командой деактивации строки и последующей её активации и RAS – Command Rate, промежуток между двумя любыми командами, который как правило, является самым минимальным интервалом и иногда производитель его вообще не указывает.

Настраиваем RAM в BIOS

Изменять можно основные характеристики оперативной памяти, то есть тактовую частоту, тайминги и напряжение. Все эти показатели взаимосвязаны. И поэтому к настройке оперативной памяти в БИОС нужно подходить теоретически подготовленным.

Способ 1: Award BIOS

Если на вашей системной плате установлена прошивка от Phoenix/Award, то алгоритм действий будет выглядеть примерно так, как указано ниже. Помните, что названия параметров могут незначительно отличаться.

1. Делаем перезагрузку ПК. Входим в БИОС с помощью сервисной клавиши или сочетания клавиш. Они бывают различные в зависимости от модели и версии «железа»: Del, Esc, F2 и так далее.
2. Нажимаем комбинацию Ctrl + F1 для входа в расширенные настройки. На открывшейся странице стрелками переходим в пункт «MB Intelligent Tweaker (M.I.T.)» и нажимаем Enter.

Можно осторожно увеличить напряжение тока, подаваемого на RAM, но не более чем на 0,15 вольта

Возвращаемся на главную страницу БИОС и выбираем параметр «Advanced Chipset Features».

Настройки закончены. Выходим из BIOS с сохранением изменений и запускаем любой специальный тест для проверки стабильности работы системы и RAM, например, в AIDA64.

При неудовлетворенности результатами настройки RAM повторите по вышеуказанному алгоритму.

Способ 2: AMI BIOS

Если БИОС на вашем компьютере от American Megatrends, то кардинально значительных отличий от Award не будет. Но на всякий случай вкратце рассмотрим этот случай.

1. Входим в BIOS, в главном меню нам нужен пункт «Advanced BIOS Features».

Покидаем BIOS и запускаем бенчмарк для проверки правильности наших действий. Делаем цикл несколько раз до достижения наилучшего результата.

Способ 3: UEFI BIOS

На большинстве современных материнских плат стоит UEFI BIOS с красивым и удобным интерфейсом, поддержкой русского языка и компьютерной мыши. Возможности по настройке RAM в такой прошивке очень широкие. Рассмотрим их подробно.

1. Заходим в БИОС, нажав Del или F2. Реже встречаются другие сервисные клавиши, узнать их можно в документации или из подсказки внизу экрана. Далее переходим в «Advanced Mode», нажав F7.

На странице расширенных настроек переходим на вкладку «Ai Tweaker», находим параметр «Memory Frequency» и в выпадающем окне выбираем желаемую тактовую частоту оперативной памяти.

Продвигаясь ниже по меню, видим строку «DRAM Timing Control» и нажав на нее, попадаем в раздел регулировки различных таймингов RAM. ПО умолчанию во всех полях стоит «Auto», но при желании можно попробовать поставить свои значения времени отклика.

Возвращаемся в меню «Ai Tweaker» и заходим в «DRAM Driving Control». Здесь можно попытаться чуть увеличить множители частоты RAM и ускорить её работу

Но делать это надо осознанно и осторожно

Опять возвращаемся на прошлую вкладку и далее наблюдаем параметр «DRAM Voltage», где можно изменять подаваемое на модули оперативной памяти напряжение электрического тока. Повышать вольтаж можно на минимальные значения и поэтапно.

Затем выходим в окно расширенных настроек и передвигаемся во вкладку «Advanced». Там посещаем «North Bridge», страницу северного моста материнской платы.

Здесь нас интересует строка «Memory Configuration», на которую и нажимаем.

В следующем окне можно изменить параметры конфигурации модулей оперативной памяти, установленных в ПК. Например, включить или выключить контроль и коррекцию ошибок (ECC) RAM, определить режим чередования банков оперативной памяти и так далее.

Закончив настройки, сохраняем внесенные изменения, покидаем BIOS и загрузив систему, проверяем работу RAM в любом специализированном тесте. Делаем выводы, исправляем ошибки повторной регулировкой параметров.

Как вы увидели, настройка оперативной памяти в БИОС вполне возможна для опытного пользователя. В принципе, в случае ваших некорректных действий на этом направлении компьютер просто не включится или прошивка сама сбросит ошибочные значения

Но осторожность и чувство меры не помешает. И помните, что износ модулей RAM при увеличенных показателях соответственно ускоряется

Основные характеристики оперативной памяти (ее объем, частота, принадлежность к одному из поколений) могут быть дополнены еще одним важнейшим параметром – таймингами. Что они представляют собой? Можно ли их изменять в настройках BIOS? Как это делать наиболее корректным, с точки зрения стабильной работы компьютера, образом?

«Физика» работы памяти

Каждая микросхема памяти состоит из миллионов ячеек данных. Каждая ячейка, в свою очередь, может хранить только одно из двух возможных значений, либо 0, либо 1. Но это только на логическом уровне, на физическом же уровне ячейка представляет из себя конденсатор, запасающий определенный уровень заряда. Если уровень напряжения выше определенного значения, считаем, что в ячейке записана логическая единица, если ниже логический ноль. Таким образом, каждая ячейка памяти хранит 1 бит данных.

Как всегда, в бочке мёда, есть ложка дёгтя. У ячеек данных слишком короткая память, дело в том, что конденсаторы слишком быстро разряжаются, всего за несколько миллисекунд ячейка способна забыть всё. Что тут говорить, даже при чтении данных расходуется заряд. Но помощь приходит контроллер.

Всем этим оркестром ячеек дирижирует контроллер. У микроконтроллера в арсенале есть всего 2 инструмента: вольтметр и «зарядник». Контроллер получает питание с материнской платы и именно «мамка» решает на каком напряжении будет работать память. Именно этим напряжением контроллер заряжает ячейки с логической единицей, при логическом же нуле контроллер разряжает ячейку.

Удерживаем данные в памяти

Как я писал выше, данные нельзя хранить просто так, все записанное будет потеряно в считанные миллисекунды. Умные головы придумали как решить эту проблему и научили контроллер постоянно сканировать ячейки и подзаряжать их. Контроллер памяти проходит все ячейки памяти сотни раз в секунду, считывая значения и записывая в ячейки эти же самые значения, тем самым подзаряжает разрядившиеся ячейки.

Если перестать подзаряжать ячейки памяти, данные будут потеряны. Именно поэтому оперативную память называют энергозависимой.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе «тайминг» — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных. В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL11. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

Тайминги памяти в программах CPU-Z и HWINFO

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Разгон оперативной памяти

Все операции в оперативной памяти зависят от:

• частоты
• таймингов
• напряжения

Тестовый образец

Цифра прописанная на планке оперативной памяти не является тактовой частотой. Реальной частотой будет половина от указанной, DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных). Поэтому память DDR-400 работает на частоте 200 МГц, DDR2-800 на частоте 400 МГц, а DDR3-1333 на 666 МГц и т.д.

Итак, если на нашей планке оперативной памяти стоит метка 1600 МГц, значит оперативная память работает на частоте 800 МГц и может выполнить ровно 800 000 000 тактов за 1 секунду. А один такт будет длиться 1/800 000 000 = 125 нс (наносекунд)

Физические ограничения

Мы подобрались к главному в разгоне, а именно физическому ограничению, контроллер просто не успеет зарядить ячейку памяти за 1 шаг, на это требуется потратить времени не меньше, чем определенного физическими законам. А то, что нельзя сделать за 1 шаг, делается за несколько.

физическое ограничение памяти

Например, в нашем случае, требуется потратить около 7 шагов на зарядку. Таким образом, зарядка ячейки длится 875 нс. Полное кол-во шагов, за которые можно выполнить одну операцию, буть то чтение, запись, стирание или зарядка, называют таймингами.

Стоит оговориться и сказать. Есть способ зарядить ячейку быстрее, нужно заряжать её большим напряжением. Если мы увеличиваем базовое напряжение работы оперативной памяти, то получаем преимущество по времени зарядки и следовательно можем уменьшить тайминг, тем самым увеличив скорость.

Итак, мы знает, что частота памяти это количество операций, которое может совершить контроллер за 1 секунду, в то время как тайминги это количество шагов контроллера, требуемое для полного завершения 1 действия.

В оперативной памяти реализовано множество таймингов, каких именно в рамках статьи не имеет особо значения

Важно лишь одно, чем ниже тайминги, тем быстрее работает память

Именно увеличивая частоты, исключительно в сочетании с таймингами можно добиться увеличения производительности.

Стандартные профили таймингов

Качественная материнская плата даёт массу возможностей по оверклокингу. В оперативную память же встроены стандартные профили таймингов, оперативная память точно знает какие тайминги нужно выставлять с предлагаемыми частотами и настойчиво рекомендует «мамке» использовать именно их. Войдя в BIOS в раздел оверклокинга оперативной памяти, первое за что хочется подергать, это частота оперативной памяти. При изменении частоты автоматически пересчитываются таймтинги. По факту вы получаете примерно ту же производительность, но для другой частоты. Кроме того, матплата старается держать тайминги в стабильной зоне работы.

Тайминги наглядно

Продолжаем рассматривать тестовый образец. Как будет вести себя память после разгона?

Частотапамяти,Mhz	Тактов засекунду,шт	Время 1таминга,нс	Таймингов достабильнойзоны, шт	Всегозатраченовремени, нс
2400	1 200 000 000	83	11	913
1600	800 000 000	125	7	875
1333	666 500 000	150	6	900
1066	533 000 000	180	5	900
800	400 000 000	250	4	1000

График таймингов, в зависимости от частоты. Красным обозначено минимальное количество таймингов до преодоления физического ограничения.

Как видим из таблицы и графика, поднимая частоту, нам необходимо увеличивать тайминги, а вот время затрачиваемое на операцию практически не изменяется, как и не растёт скорость.

Как видим, средняя оперативная память с частотой 800 будет равна по производительности оперативной памяти с частотой 2400

На что действительно стоит обратить внимание, так это качество материалов, которые применил производитель. Более качественные модули дадут возможность выставлять более низкие тайминги, а следовательно большее кол-во полезных операций

Дополнительные тайминги

Как мы уже сказали, в некоторых современных моделях материнских плат есть возможности для очень тонкой настройки работы ОЗУ. Речь, конечно, не идет о том, как увеличить оперативную память – этот параметр, безусловно, заводской, и изменению не подлежит. Однако в предлагаемых некоторыми производителями настройках ОЗУ есть очень интересные возможности, задействуя которые, можно существенно ускорить работу ПК. Мы же рассмотрим те, что относятся к таймингам, которые можно конфигурировать в дополнение к четырем основным. Важный нюанс: в зависимости от модели материнской платы и версии BIOS, названия каждого из параметров могут отличаться от тех, которые мы сейчас приведем в примерах.

1. RAS to RAS Delay

Этот тайминг отвечает за задержку между моментами, когда активизируются строки из разных областей консолидации адресов ячеек («банков» то есть).

2. Row Cycle Time

Этот тайминг отражает временной интервал, в течение которого длится один цикл в рамках отдельной строки. То есть от момента ее активизации до начала работы с новым сигналом (с промежуточной фазой в виде закрытия).

3. Write Recovery Time

Данный тайминг отражает временной интервал между двумя событиями – завершением цикла записи данных в память и началом подачи электросигнала.

4. Write To Read Delay

Данный тайминг показывает, сколько должно пройти времени между завершением цикла записи и моментом, когда начинается чтение данных.

Во многих версиях BIOS также доступен параметр Bank Interleave. Выбрав его, можно настроить работу процессора так, чтобы он обращался к тем самым «банкам» ОЗУ одновременно, а не по очереди. По умолчанию этот режим функционирует автоматически. Однако можно попробовать выставить параметр типа 2 Way или 4 Way. Это позволит задействовать 2 или 4, соответственно, «банка» одновременно. Отключение режима Bank Interleave используется довольно редко (это, как правило, связано с диагностикой ПК).

Методы определения частоты ОЗУ в Windows 10

Существует достаточно много ситуаций, в которых может потребоваться информация о частоте работы оперативной памяти – от банального любопытства до необходимости заменить ОЗУ. Получить нужную информацию можно тремя основными способами. О каждом из них мы и расскажем далее во всех подробностях.

Способ 1: Специализированный софт

В качестве примера мы покажем, как узнать частоту ОЗУ с помощью программ CPU-Z и AIDA64.

CPU-Z

Несмотря на свое название, данная программа позволяет получить информацию не только о процессоре компьютера, но и о других комплектующих. Распространяется она абсолютно бесплатно.

Для получения информации об ОЗУ с ее помощью нужно сделать следующее:

1. Запустите программу CPU-Z. В открывшемся окне перейдите во вкладку «SPD».

При необходимости перейдите в программе во вкладку «Memory» — в ней будет отображена общая информация об объеме оперативной памяти и ее частоте

Это важно знать, так как если у вас в системе используется несколько модулей ОЗУ с разной частотой, то общая скорость передачи данных будет «подгоняться» под параметры слабейшего из них

AIDA64

Данная программа предоставляет гораздо больше информации, чем CPU-Z. Она платная, но имеет пробный период 30 дней, и этого явно хватит для того, чтобы узнать частоту оперативной памяти.

Для определения скорости передачи данных ОЗУ с помощью AIDA64 нужно сделать следующее:

1. Запустите приложение. В левой части открывшегося окна откройте ветку «Системная плата», а затем из выпадающего списка выберите пункт «SPD».

В правой части экрана отображена сводная информация о конкретном модуле оперативной памяти. Сам модуль можно выбрать в самом верху окна. Частота будет указана напротив строки «Скорость памяти»

Обратите внимание, что в скобках отображается реальная частота, а перед ними – эффективная. В нашем случае это значение 1600

Именно его и следует искать.

Способ 2: Системная утилита

Если вы относитесь к тем пользователям, которые не любят устанавливать сторонний софт, тогда этот метод для вас. Он позволяет узнать частоту работы оперативной памяти через встроенную утилиту «Командная строка». Сделать это можно следующим образом:

1. Нажмите по кнопке «Пуск» правой кнопкой мышки, а затем выберите из контекстного меню пункт «Выполнить».

В текстовое поле появившегося окна введите команду cmd и нажмите кнопку «Enter».

wmic memorychip get speed

В результате немного ниже появится число, которое и является частотой работы оперативной памяти. В данном случае это будет эффективное значение, а это значит, что умножать его на два не нужно. Если модулей памяти установлено несколько, значений в «Командной строке» будет столько же.

После получения информации закройте все открытые ранее окна.

Способ 3: BIOS

Данный метод подойдет лишь опытным пользователям, так как предполагает под собой использование БИОСа. Узнать частоту работы ОЗУ можно следующим образом:

1. При перезагрузке компьютера нажмите специальную кнопку, которая позволит войти в БИОС. Как правило, это «Esc», «F2» или «Del».

Обратите внимание, что расположение строки с информацией о частоте ОЗУ зависит от версии и производителя БИОСа.

Таким образом, использовав любой из описанных методов, вы без труда сможете определить частоту работы оперативной памяти компьютера или ноутбука. Если вы решите обновить ОЗУ, тогда советуем ознакомиться с нашим специальным руководством, которое содержит полезные советы и рекомендации на эту тему.

Где искать значения таймингов ОЗУ??

Здравствуйте, дорогие читатели.

Интересует быстродействие ОЗУ? Тогда вам пригодится моя статья о том, как узнать тайминги оперативной памяти. Первый раз о них слышите? Я объясню, почему они важны и как их можно менять, чтобы увеличить производительность компьютера.

Покопаемся в BIOS

Узнать тайминги оперативки можно и в BIOS. Чтобы попасть в него, во время загрузки системы нажмите клавишу Delete, а затем — Ctrl + F1 для открытия меню дополнительных параметров. Далее переключитесь на вкладку Advanced, где под строкой Memory Frequency или Standard timing control вы найдете нужные значения.

К слову, здесь же вы можете их изменить для ускорения работы планок (небольшого). Но выполнять эту операцию стоит только в том случае, если вы уверены в своих действиях.

После внесения корректировок перейдите на вкладку «Save & Exit» и сохраните изменения, нажав Enter. Компьютер перезагрузится и они вступят в силу.

Тайминги: порядок расположения

Каков порядок расположения в этом числовом ряду каждого из таймингов? Он практически всегда (и это своего рода отраслевой «стандарт») таков: первая цифра – это CAS Latency, вторая – RAS to CAS Delay, третья – RAS Precharge и четвертая – Active to Precharge Delay. Как мы уже сказали выше, иногда используется параметр Command Rate, его значение пятое в ряду. Но если для четырех предыдущих показателей разброс цифр может быть достаточно большим, то для CR возможно, как правило, только два значения – T1 или T2. Первый означает, что время с момента, когда память активируется, до наступления ее готовности отвечать на запросы должен пройти 1 такт. Согласно второму – 2.

Разбираемся с основными значениями таймингов

Латентность (от англ. CAS Latency сокращенно CL) в обиходе «тайминг» — это временные задержки, которые возникают при обращении центрального процессора к ОЗУ. Измеряют эти задержки в тактах шины памяти.

Каждая временная задержка имеет свое название и отвечает за скорость передачи определенных данных. В технических характеристиках оперативной памяти их записывают в строгой последовательности в виде трех или четырех чисел: CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge Time и DRAM Cycle Time Tras/Trc (Active to Precharge Delay). Сокращенно это может выглядеть так: CL-RCD-RP-RAS.

Большинство производителей указывают тайминги в маркировке на модулях памяти. Это могут быть 4 цифры, например: 9-9-9-24, или только одна, например CL11. В этом случае имеется ввиду первый параметр, то есть CAS Latency.

Теперь разберемся с этими задержками более подробно.

Для наглядного примера возьмем пару планок памяти DDR3 1600 Мгц по 8 Gb каждая с таймингами 11-11-11-28.

На планке памяти данная информация хранится в чипе SPD и доступна чипсету материнки. Посмотреть эту информацию можно с помощью специальных утилит, например CPU-Z или HWINFO.

Тайминги памяти в программах CPU-Z и HWINFO

CAS Latency (tCL) — самый главный тайминг в работе памяти, который оказывает наибольшее значение на скорость ее работы. В характеристиках памяти всегда стоит первым. Указывает на промежуток времени, который проходит между подачей команды на чтение/запись информации и началом ее выполнения.

Это время можно измерить в наносекундах. Для этого лучше всего воспользоваться калькулятором. Вводим частоту в Мгц (у нас это 1600) и время задержки (11). На выходе получаем, что время задержки между подачей команды на чтение/запись данных и началом ее выполнения составляет 13.75 наносекунд.

RAS to CAS Delay (tRCD) — задержка от RAS до CAS. Время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS), до момента обращения к столбцу матрицы (CAS), в которых хранятся нужные данные.

RAS Precharge Time (tRP) — интервал времени с момента закрытия доступа к одной строке матрицы и началом доступа к другой строке данных.

Row Active Time (tRAS) — пауза, которая нужна памяти, чтобы вернуться в состояние ожидания следующего запроса. Он определяет отношение интервала, в течение которого строка открыта для переноса данных (tRAS — RAS Active time), к периоду, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления ряда (tRC — Row Cycle time), также называемого циклом банка (Bank Cycle Time).

Command Rate — скорость поступления команды. Время с момента активации чипа памяти до момента, когда можно будет обратиться к памяти с первой командой. Часто этот параметр в маркировке памяти не указывается, но всегда есть в программах. Обычно это T1 или T2. 1 или 2 тактовых цикла.

Правильный разгон оперативной памяти (формула)

Да, конечно же, чтобы подобрать лучшие параметры и повысить производительность ОЗУ и системы в целом, нужно экспериментировать, и каждый раз тестировать систему на производительность и стабильность.

Но скажу вам по секрету, узнать наилучшую производительность можно не только опытным путем, а еще и математическим. Однако тесты на стабильность все равно никто не отменяет.

Итак, как вывести коэффициент эффективности работы ОЗУ? Очень просто. Нужно поделить рабочую частоту памяти на первый тайминг. Например, у вас DDR4 2133 МГц с таймингами 15-15-15-29. Делим 2133 на 15 и получаем некое число 142,2. Чем выше это число, тем теоретически выше эффективность оперативной памяти.

Как известно, при разгоне ОЗУ без увеличения напряжения, поднимая частоту, скорее всего, придется поднять и тайминги на 1 или 2 такта. Исходя из нашей формулы, можно понять, обосновано ли поднятие частоты или нет. Вот пример настройки одной и той же планки ОЗУ:

DDR4-2400 CL14-16-16 @1.2V 2400 / 14 = 171.428

DDR4-2666 CL15-17-17 @1.2V 2666 / 15 = 177.7(3)

Вот и получается, что если частота 2400 МГц требует поднять тайминги на 2 такта по сравнению со стандартными таймингами, то нам это абсолютно не выгодно. А вот с частотой 2133 и 2666 МГц можно провести тесты производительности и стабильности системы, чтобы выбрать, какой из них для нас оптимальный.

Разновидности таймингов

К числу основных относятся:

• CAS Latency (CL) – Латентность CAS.
• RAS to CAS Delay (TRCD) – Задержка RAS to CAS
• RAS Precharge (TRP) – Время зарядки RAS

Аббревиатура CAS обозначает Column Address Strobe (строб-сигнал адреса колонки), а RAS — Row Address Strobe (строб-сигнал адреса строки).

Часто, хотя и не всегда, производители микросхем ОЗУ используют четвертый и пятый тайминги. Ими являются Row Active Time (TRAS), обычно приблизительно равный сумме второго тайминга (TRCD) и квадрата тайминга CL, а также Command rate.

Все тайминги обычно указываются на маркировке микросхемы памяти в следующем порядке: CL-TRCD-TRP-TRAS. Например, обозначение 5-6-6-18 свидетельствует о том, что у микросхемы памяти значение CAS Latency равно 5 тактам, RAS to CAS Delay и RAS Precharge равны 6 тактам, значение Row Active Time – 18 тактам.

CAS Latency (CL)

Тайминг CAS Latency является одним из самых важных таймингов модуля оперативной памяти. Он определяет время, которое требуется модулю памяти, чтобы выбрать необходимый столбец в строке памяти после поступления запроса от процессора на чтение ячейки.

RAS to CAS Delay (TRCD)

Этот тайминг определяет число тактов, которое проходит между снятием сигнала RAS, означающего выбор определенной строки памяти и подачей сигнала CAS, при помощи которого осуществляется выбор определенного столбца (ячейки) в строке памяти.

RAS Precharge Time (TRP)

Этот параметр задает количество времени в тактах, которое проходит между сигналом на предварительную зарядку Precharge и открытием доступа к следующей строке данных.

Row Active Time

Это тайминг определяет время, в течение которого является активной одна строка модуля памяти. Также в некоторых источниках он может называться SDRAM RAS Pulse Width, RAS Active Time, Row Precharge Delay или Active Precharge Delay.

Иногда для характеристики модуля памяти также используется тайминг Command Rate. Он определяет общую задержку при обмене командами между контроллером памяти и модулем ОЗУ. Обычно равен всего 1-2 тактам.

Также для определения параметров работы ОЗУ иногда используются вспомогательные тайминги оперативной памяти, такие, как RAS to RAS Delay, Write Recovery Time, Row Cycle Time, Write To Read Delay и некоторые другие.